可控硅調(diào)速原理

時間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：805

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• 二極管和二極管模塊有什么區(qū)別

  二極管和二極管模塊有什么區(qū)別二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了，早在**次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器，從1930年開始，半導(dǎo)體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個安培以內(nèi)，電壓較高1000多V，但是反向恢復(fù)素很快，只有

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 【二極管模塊】二極管工作原理

  二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起

• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn)，可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn)，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動對